укр рус
  • Главная
  • Обратная связь
  • Карта сайта
Телефоны:
  +38(050) 419-91-92
Телефоны:
  +38(044) 281-24-05
Пошта 03680 Україна м. Київ,
вул. Волноваська 10
  • Главная
  • Обратная связь
  • Карта сайта
Телефоны:   +38(050) 419-91-92
Телефоны:   +38(044) 281-24-05
Почта 03680 Украина г. Киев,
ул. Радищева, 10
укр рус

Офсетное резинотканевое полотно


Бренд: PHOENIX Xtra PRINT

Офсетное полотно Sapphire

Описание и применение:

 

Компания PHOENIX Xtra PRINT разработала офсетное резинотканевое полотно SAPPHIRE для современной листовой офсетной печати. Сейчас полотна SAPPHIRE являются самыми продаваемыми из серии Gem Stone.

 

Офсетные резинотканевые полотна SAPPHIRE ® CARAT оснащены новым компрессионным промежуточным слоем, который обеспечивает отличные результаты при печати и высокую износоустойчивость.

 

Благодаря высокой устойчивости офсетных резинотканевых полотен CARAT печатники могут быть всегда уверены в неизменно высоком качестве производимой продукции.

 

Микрошероховатая поверхность и легкое отделение листа обеспечивают низкое растискивание растровой точки. Специальные добавки в верхний резинотканевый слой улучшают краскопередачу и предотвращают накопление краски или бумажной пыли на красочных валиках.

 

SAPPHIRE - Высочайшие резинотканевые технологии для листового офсета:


• Нечувствительный поверхностный слой
• Низкое растискивание растровой точки
• Легкое отделение листа
• Новый компрессионный слой
• Высокая износоустойчивость
• Минимальное растяжение.



Технические характеристики:

Цвет поверхности

SAPPHIRE голубой

Фирменные метки

коричневая нить указывает направление долевой нити Штамп PHOENIX с артиклем и серийным номером

Толщина*

Арт. 364: 1.70 мм(3 тканевых слоя)

Арт. 366: 1.96 мм( 4 тканевых слоя)

Растяженность под нагрузкой 1000N/50mm

<1.3 % CARAT VALUE

Компрессионность при 1350 кПа (сжатие под нагрузкой)

около 9 %

Уменьшение толщины под действием нагрузки

<1.3 % CARAT VALUE

Разрывная нагрузка

>4,500 N/50 mm CARAT VALUE

Твердость по Шору

около 78 Shore A

Шероховатость Rz

2 - 3 μm